CREA: Colección de Recursos Educativos Abiertos

 

The temperature coefficients analysis of silicon-based PV modules using I–V characteristics obtained by capacitance method

dc.audience.mediatorUniversidad de Jaén. Centro de Estudios de Postgradoes_ES
dc.contributor.advisorMuñoz Díez, José Vicente
dc.contributor.advisorGułkowski, Sławomir
dc.contributor.authorShlikhutka, Viktoriya
dc.contributor.otherUniversidad de Jaén. Ingeniería Electrónica y Automáticaes_ES
dc.date.accessioned2021-02-03T09:52:52Z
dc.date.available2021-02-03T09:52:52Z
dc.date.issued2021-02-03
dc.description.abstract[ES]El objetivo del presente trabajo ha sido el estudio de los coeficientes de temperatura α, β y γ aportados por los fabricantes para dos tecnologías comerciales de módulos fotovoltaicos: silicio monocristalino y heterounión con capa delgada intrínseca. El estudio se ha dividido en tres rangos de irradiancia (altas, medias y bajas). Los coeficientes se han obtenido mediante la pendiente del ajuste lineal de los datos experimentales. Para ambos módulos los valores de γ y β han estado próximos a los valores dados por los fabricantes. Una segunda validación del valor del coeficiente γ ha sido realizada a través de la medida de la energía. Así, por medio de una integración temporal de la potencia según le modelo de Osterwald se ha comparado la energía utilizando el valor de γ dado por el fabricante con la energía calculada utilizando γ dividido en 3 rangos de irradiancias (γaltas, γmedias y γbajas). Los dos valores de energía se han calculado para 3 distintos perfiles: soleado, parcialmente nublado y nublado. Los resultados se han comparado haciendo uso del error cuadrático medio (RMSE%) con el valor experimental de la energía producidaes_ES
dc.description.abstract[EN]The aim of the present work was to research the credibility of α, β and γ temperature coefficients provided by the manufacturers for monocrystalline and heterojunction with an intrinsic thin layer PV modules. The study were divided into three ranges of irradiance – high, middle and low. The experimental values of temperature coefficients were obtained from the slope of the linear regression applied to the data. For both modules, the experimental values of γ and β were similar to the given values. An additional validation of the experimental γ coefficients was done by using time-domain integration of power computed by Osterwald’s model to calculate the energy utilizing three experimental γ ( and ) and the one given by the manufacturer. These two theoretically estimated energies have been computed for three sky profiles: sunny, partially cloudy and cloudy and then compared to the actual energy output by means of the root mean square error (RMSE%).es_ES
dc.identifier.urihttps://hdl.handle.net/10953.1/13694
dc.language.isoenges_ES
dc.rightsinfo:eu-repo/semantics/restrictedAccesses_ES
dc.rightsAtribución-NoComercial-SinDerivadas 3.0 España*
dc.rights.urihttp://creativecommons.org/licenses/by-nc-nd/3.0/es/*
dc.subject.classification2106.01es_ES
dc.subject.classification3311.08es_ES
dc.subject.classification3311.17es_ES
dc.subject.otherEnergía solares_ES
dc.subject.otherSolar energyes_ES
dc.subject.otherEquipo de laboratorioes_ES
dc.subject.otherLaboratory equipmentes_ES
dc.subject.otherEquipos de verificaciónes_ES
dc.subject.otherTest equipmentes_ES
dc.titleThe temperature coefficients analysis of silicon-based PV modules using I–V characteristics obtained by capacitance methodes_ES
dc.typeinfo:eu-repo/semantics/masterThesises_ES

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