(2024-04-19) Menéndez Novella, Ignacio; Nieto Nieto, Luis Miguel; Universidad de Jaén. Ingeniería de Telecomunicación
En los últimos 10 años, IHP ha desarrollado una intensa actividad para llevar la tecnología de memoria resistiva de acceso aleatorio (RRAM) basada en la pila TiN/Ti/HfO2/TiN a un nivel de madurez que conduzca a su integración en un proceso CMOS de 130 nm en una arquitectura de 1-transistor-1-resistencia (1T1R). Con este trabajo, se ayuda a científicos a desarrollar modelos con el objetivo de comprender mejor los mecanismos subyacentes a su operación de conmutación y proporcionar herramientas de desarrollo a los diseñadores involucrados en la implementación de circuitos que hacen uso de dispositivos RRAM, como memorias no volátiles o neuromórficas. sistemas computacionales. Este último es particularmente apreciado en IHP por estar integrado en su kit de diseño de procesos (PDK).
