Characterization of 1T1R RRAM devices for modeling

Abstract

En los últimos 10 años, IHP ha desarrollado una intensa actividad para llevar la tecnología de memoria resistiva de acceso aleatorio (RRAM) basada en la pila TiN/Ti/HfO2/TiN a un nivel de madurez que conduzca a su integración en un proceso CMOS de 130 nm en una arquitectura de 1-transistor-1-resistencia (1T1R). Con este trabajo, se ayuda a científicos a desarrollar modelos con el objetivo de comprender mejor los mecanismos subyacentes a su operación de conmutación y proporcionar herramientas de desarrollo a los diseñadores involucrados en la implementación de circuitos que hacen uso de dispositivos RRAM, como memorias no volátiles o neuromórficas. sistemas computacionales. Este último es particularmente apreciado en IHP por estar integrado en su kit de diseño de procesos (PDK).

In the last 10 years, IHP has developed an intensive activity in bringing Resistive Random Access Memory (RRAM) technology based on the TiN/Ti/HfO2/TiN stack to a maturity level that leads to its integration into 130 nm CMOS process within a 1-transistor-1-resistor (1T1R) architecture. With your work, you help our scientists to develop models with the aim of understanding better the mechanisms underlying its switching operation and providing development tools to designers involved in the implementation of circuits that make use of RRAM devices, such as non-volatile memories or neuromorphic computing systems. The latter is particularly appreciated at IHP to be integrated in its process design kit (PDK).