Examinando por Autor "Shlikhutka, Viktoriya"
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Ítem The temperature coefficients analysis of silicon-based PV modules using I–V characteristics obtained by capacitance method(2021-02-03) Shlikhutka, Viktoriya; Muñoz Díez, José Vicente ; Gułkowski, Sławomir; Universidad de Jaén. Ingeniería Electrónica y Automática[ES]El objetivo del presente trabajo ha sido el estudio de los coeficientes de temperatura α, β y γ aportados por los fabricantes para dos tecnologías comerciales de módulos fotovoltaicos: silicio monocristalino y heterounión con capa delgada intrínseca. El estudio se ha dividido en tres rangos de irradiancia (altas, medias y bajas). Los coeficientes se han obtenido mediante la pendiente del ajuste lineal de los datos experimentales. Para ambos módulos los valores de γ y β han estado próximos a los valores dados por los fabricantes. Una segunda validación del valor del coeficiente γ ha sido realizada a través de la medida de la energía. Así, por medio de una integración temporal de la potencia según le modelo de Osterwald se ha comparado la energía utilizando el valor de γ dado por el fabricante con la energía calculada utilizando γ dividido en 3 rangos de irradiancias (γaltas, γmedias y γbajas). Los dos valores de energía se han calculado para 3 distintos perfiles: soleado, parcialmente nublado y nublado. Los resultados se han comparado haciendo uso del error cuadrático medio (RMSE%) con el valor experimental de la energía producida